【赛迪网讯】2月21日消息，在“第二届EV及HEV驱动系统技术展”，安川电机试制出了利用SiC功率元件的电动汽车(EV)行驶系统。该系统由行驶马达及马达的驱动部构成。通过在驱动部采用SiC功率元件，使得驱动部的体积缩小到了原产品的一半以下。
据了解，此次展出的试制品以安川电机已经投产的电动汽车行驶系统“QMET”为原型，QMET的马达驱动部由根据马达转速来切换线圈的电路及逆变器构成，线圈切换电路是安川电机的自主技术。据安川电机介绍，采用该技术，可实现在低转速区到高转速区的所有区域内高效行驶。
现有的QMET在逆变器的主电路及马达的线圈切换电路上分别利用IGBT及称为功率二极管的Si制功率元件。此次将IGBT替换成了SiC MOSFET，功率二极管替换成了SiC肖特基二极管(SBD)。通过采用SiC功率元件，逆变器整体体积缩小到了原来的约1/3，线圈切换电路的体积缩小到了原来的一半以下。因此，由二者构成的驱动部的体积缩小到了原来的一半以下。
(编辑：CSJ)
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作者：赛迪网 来源：赛迪网
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